Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SiHG73N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET 650 Volts 73 Amps 520 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：73 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SiHG73N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：73 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SIHP10N40D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIHP12N50C-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Channel 500V | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：500 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲极... | ||||||
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SIHP12N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIHP12N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SIHP14N50D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 500V 400mOhm@10V 14A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，漏极连续电流：14 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SIHP15N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 600V 280mOhm@10V 15A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIHP15N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 16,655 | MOSFET 600V 280mOhm@10V 15A N-Ch E-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：15 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SiHP16N50C-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 963 | MOSFET N-Channel 500V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，漏极连续电流：16 A，配置：Sin... | ||||||
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SIHP17N60D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 600V 340mOhm@10V 17A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：17 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SiHP17N60D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 600V 17A 277.8W 340mOhm @10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... | ||||||
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SIHP18N50C-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 997 | MOSFET 560V 18A 223W 270mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电... | ||||||
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SiHP22N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIHP22N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | - | MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：21 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SIHP22N60S-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 600V N-Channel Superjunction TO-220 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电... | ||||||
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SiHP24N65E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SiHP24N65E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SiHP25N40D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 4,796 | MOSFET 400V 170mOhm@10V 25A N-Ch D-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电... | ||||||
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SiHP30N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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