SIR798DP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 2781
说明：: MOSFET 30 Volts 60 Amps 83 Watts

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SIR798DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIR798DP-GE3
典型关闭延迟时间：43 ns
上升时间：11 ns
功率耗散：83 W
栅极电荷 Qg：86 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：103 S
下降时间：9 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0017 Ohms
漏极连续电流：60 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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