SIR808DP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 2817
说明：: MOSFET 25 Volts 20 Amps 29.8 Watts

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SIR808DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIR808DP-GE3
典型关闭延迟时间：14 ns
上升时间：10 ns
功率耗散：29.8 W
栅极电荷 Qg：15.2 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：36 S
下降时间：7 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0074 Ohms
漏极连续电流：20 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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