SIR826ADP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 2844
说明：: MOSFET 80V 5.5mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

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SIR826ADP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：32 ns
商标名：ThunderFET / Med Voltage
上升时间：15 ns
功率耗散：104 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：86 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：68 S
下降时间：8 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.5 mOhms
漏极连续电流：60 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：80 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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