SIR850DP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 3069
说明：: MOSFET 25V 30A 41.7W 7.0mohm @ 10V

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SIR850DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIR850DP-GE3
典型关闭延迟时间：30 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：20 ns
功率耗散：41.7 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：85 S
下降时间：11 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0073 Ohms
漏极连续电流：30 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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