SIR812DP-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? SO-8
数量:
 2826  
说明:
 MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SIR812DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8图片

SIR812DP-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:SIR812DP-GE3
功率耗散:104 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Dual Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.00165 Ohms
漏极连续电流:60 A
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIR812DP-T1-GE3的详细信息,包括SIR812DP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC