SIR804DP-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? SO-8
数量:
 3150  
说明:
 MOSFET 100V 7.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
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SIR804DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SIR804DP-GE3
典型关闭延迟时间:38 nS
上升时间:9 nS
功率耗散:104 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:50.8 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :73 S
下降时间:11 nS
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):7.2 mOhms at 10 V
漏极连续电流:60 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SIR804DP-T1-GE3的详细信息,包括SIR804DP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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