SIR804DP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 3150
说明：: MOSFET 100V 7.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

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SIR804DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIR804DP-GE3
典型关闭延迟时间：38 nS
上升时间：9 nS
功率耗散：104 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：50.8 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：73 S
下降时间：11 nS
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.2 mOhms at 10 V
漏极连续电流：60 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SIR804DP-T1-GE3的详细信息，包括SIR804DP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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