SIR770DP-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? SO-8 双
数量:
 2754  
说明:
 MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky
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SIR770DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8 双图片

SIR770DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SIR770DP-GE3
功率耗散:17.8 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:14 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :31 S
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0175 Ohms
漏极连续电流:8 A
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SIR770DP-T1-GE3的详细信息,包括SIR770DP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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