SIR774DP-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 -
数量:
 2763  
说明:
 MOSFET 30 Volts 40 Amps 62.5 Watts
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SIR774DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SIR774DP-GE3
典型关闭延迟时间:33 ns
上升时间:10 ns
功率耗散:62.5 W
栅极电荷 Qg:58 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :95 S
下降时间:10 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SO-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0021 Ohms
漏极连续电流:40 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIR774DP-T1-GE3的详细信息,包括SIR774DP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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