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SI4501BDY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 678
说明：: MOSFET 30 Volts 12 Amps 4.5 Watts

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SI4501BDY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4501BDY-GE3
典型关闭延迟时间：15 ns, 35 ns
上升时间：11 ns, 12 ns
功率耗散：4.5 W
栅极电荷 Qg：16.5 nC, 27.5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：29 S, 24 S
下降时间：8 ns, 9 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0135 Ohms, 0.021 Ohms
漏极连续电流：12 A, - 8 A
闸/源击穿电压：20 V, 8 V
汲极/源极击穿电压：30 V, - 8 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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