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SI4511DY-T1-E3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 8-SOIC
数量：
 2529  
说明：
 MOSFET +20/-20V +9.6/-6.2A
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SI4511DY-T1-E3-8-SOIC图片

SI4511DY-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4511DY-E3
典型关闭延迟时间：55 ns at N Channel, 70 ns at P Channel
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：2500
上升时间：12 ns at N Channel, 30 ns at P Channel
功率耗散：1.1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：12 ns at N Channel, 30 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：14.5 mOhms, 33 mOhms
漏极连续电流：7.2 A, 4.6 A
闸/源击穿电压：+ /- 16 V, +/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4511DY-T1-E3的详细信息，包括SI4511DY-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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