首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 8-SOIC
数量：
 7191  
说明：
 MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mohm @ 10V
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SI4532CDY-T1-GE3-8-SOIC图片

SI4532CDY-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SI4532CDY-GE3
典型关闭延迟时间：14 nS, 17 nS
工厂包装数量：2500
上升时间：12 nS, 13 nS
功率耗散：2.78 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：6 nC, 7.8 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：7 S, 7 S
下降时间：6 nS, 7.7 nS
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.047 Ohms at 10 V, 0.089 Ohms at - 10 V
漏极连续电流：6 A, - 4.3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：+/- 30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4532CDY-T1-GE3的详细信息，包括SI4532CDY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • ISC0804NLSATMA1
  • PSMN1R4-30YLDX
  • IXTY90N055T2-TRL
  • IPB100N06S2L05ATMA2
  • AOTF292L
  • AOWF20S60
  • AOW20S60
  • GT100N12D5
  • SQJ886EP-T1_BE3
  • DMT15H017LPS-13

    • 相近型号推荐

    • SI4532DY图片

      SI4532DY

      MOSFET 30V Dual N/P FET Enhancement Mode

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC