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SI4539ADY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 7218
说明：: MOSFET 30V 5.9/4.9A 2.0W 36/53mohm @ 10V

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SI4539ADY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4539ADY-GE3
典型关闭延迟时间：30 ns at N Channel, 40 ns at P Channel
工厂包装数量：2500
上升时间：14 ns at N Channel, 10 ns at P Channel
功率耗散：1.1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：14 ns at N Channel, 10 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：36 mOhms, 53 mOhms
漏极连续电流：5.9 A, 4.9 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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