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SI4532ADY

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOIC-8 Narrow
数量：
 5715  
说明：
 MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W
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SI4532ADY PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：23 ns at N Channel, 21 ns at P Channel
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：100
上升时间：10 ns at N Channel, 9 ns at P Channel
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns at N Channel, 9 ns at P Channel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：53 mOhms, 80 mOhms
漏极连续电流：4.9 A, 3.9 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

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