SI4532ADY

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SOIC-8 Narrow
数量:
 5715  
说明:
 MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W
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SI4532ADY PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:23 ns at N Channel, 21 ns at P Channel
商标名:TrenchFET
工厂包装数量:100
上升时间:10 ns at N Channel, 9 ns at P Channel
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:10 ns at N Channel, 9 ns at P Channel
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):53 mOhms, 80 mOhms
漏极连续电流:4.9 A, 3.9 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:否
制造商:Vishay

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