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SI4532ADY-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 8-SOIC
数量：
 7182  
说明：
 MOSFET 30V 4.9/3.9A 2.0W 53/80mohm @ 10V
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SI4532ADY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4532ADY-GE3
典型关闭延迟时间：23 ns at N Channel, 21 ns at P Channel
工厂包装数量：2500
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：53 mOhms, 80 mOhms
漏极连续电流：4.9 A, 3.9 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4532ADY-T1-GE3的详细信息，包括SI4532ADY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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