SI4501DY-T1

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SOIC-8 Narrow
数量:
 387  
说明:
 MOSFET 30/8 9/6.2A
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

SI4501DY-T1 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

典型关闭延迟时间:35 ns, 110 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:9 ns, 50 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:17 ns, 60 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):18 mOhms, 42 mOhms
漏极连续电流:9 A, 6.2 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V, +/- 8 V
汲极/源极击穿电压:30 V, 8 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4501DY-T1的详细信息,包括SI4501DY-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC