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SI4505DY-T1

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOIC-8 Narrow
数量：
 873  
说明：
 MOSFET 30/8V 7.8/5.0A 1.2W
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SI4505DY-T1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns at N Channel, 60 ns at P Channel
工厂包装数量：2500
上升时间：8 ns at N Channel, 45 ns at P Channel
功率耗散：1.2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8 ns at N Channel, 45 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：18 mOhms, 42 mOhms
漏极连续电流：6.5 A, 3.8 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V, +/- 8 V
汲极/源极击穿电压：30 V, 8 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4505DY-T1的详细信息，包括SI4505DY-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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