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SI4505DY-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 7137
说明：: MOSFET N/P-CH 8-SOIC

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SI4505DY-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：18 毫欧 @ 7.8A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V, 8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A, 3.8A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：1.2W
安装类型：表面贴装

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