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SI4501DY

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOIC-8 Narrow
数量：
 1953  
说明：
 MOSFET 30/8V 9/6.2A
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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns, 110 ns
工厂包装数量：100
上升时间：9 ns, 50 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：17 ns, 60 ns
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：18 mOhms, 42 mOhms
漏极连续电流：9 A, 6.2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V, +/- 8 V
汲极/源极击穿电压：30 V, 8 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

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