首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SI4501DY-E3

SI4501DY-E3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOIC-8 Narrow
数量：
 4149  
说明：
 MOSFET 30/8V 9/6.2A
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

SI4501DY-E3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns, 110 ns
上升时间：9 ns, 50 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：17 ns, 60 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：18 mOhms, 42 mOhms
漏极连续电流：9 A, 6.2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V, +/- 8 V
汲极/源极击穿电压：30 V, 8 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4501DY-E3的详细信息，包括SI4501DY-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • ISC0804NLSATMA1
  • PSMN1R4-30YLDX
  • IXTY90N055T2-TRL
  • IPB100N06S2L05ATMA2
  • AOTF292L
  • AOWF20S60
  • AOW20S60
  • GT100N12D5
  • SQJ886EP-T1_BE3
  • DMT15H017LPS-13

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC