PTFB183404E V1 R250

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-36275-8
数量：: 3060
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 LD9 340W 1805-1880MHz

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PTFB183404E V1 R250 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FB183404EV1R25NT PTFB183404EV1R250XTMA1 SP000884172
系列：PTFB183404
安装风格：SMD/SMT
封装形式：H-36275-8
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：10 V
漏极连续电流：2.6 A
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：125 W
增益：17 dB
频率：1.8 GHz to 1.88 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Dual
制造商：Infineon

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