PTFB191501E V1 R250

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 H-36248-2
数量:
 6237  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
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PTFB191501E V1 R250 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:FB191501EV1R25XT PTFB191501EV1R250XTMA1 SP000695470
系列:PTFB191501
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.08 Ohms
最小工作温度:- 40 C
封装形式:H-36248-2
最大工作温度:+ 125 C
闸/源击穿电压:10 V
漏极连续电流:1.2 A
汲极/源极击穿电压:65 V
配置:Single
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:Infineon

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