PTFB191501E V1 R250

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-36248-2
数量：: 6237
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9

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PTFB191501E V1 R250 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FB191501EV1R25XT PTFB191501EV1R250XTMA1 SP000695470
系列：PTFB191501
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.08 Ohms
最小工作温度：- 40 C
封装形式：H-36248-2
最大工作温度：+ 125 C
闸/源击穿电压：10 V
漏极连续电流：1.2 A
汲极/源极击穿电压：65 V
配置：Single
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

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