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BFU730F,115 NXP Semiconductors SOT343F-4 1669 射频硅锗晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
参数:制造商:NXP,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1 V,集电极连续电流:5 mA,功率耗散:197 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:SO...
BFU760F,115 NXP Semiconductors SOT-343 2488 射频硅锗晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
参数:制造商:NXP,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1 V,集电极连续电流:70 mA,功率耗散:220 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:S...
点击查看BFU790F,115参考图片 BFU790F,115 NXP Semiconductors SOT-343 2808 射频硅锗晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
参数:制造商:NXP,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1 V,集电极连续电流:100 mA,功率耗散:234 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:...
点击查看BFU710F,115参考图片 BFU710F,115 NXP Semiconductors SOT-343 2389 射频硅锗晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
参数:制造商:NXP,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1 V,集电极连续电流:10 mA,功率耗散:136 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:S...
点击查看BFR 740L3RH E6327参考图片 BFR 740L3RH E6327 Infineon Technologies TSLP 射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:160 mW,封装形式:TSLP,包装形式:Reel,最大工作温度:+ 150 C,...
点击查看BFR 750L3RH E6327参考图片 BFR 750L3RH E6327 Infineon Technologies 射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,包装形式:Reel,系列:BFR750L3,工厂包装数量:1,零件号别名:BFR750L3RH...
点击查看BFR 705L3RH E6327参考图片 BFR 705L3RH E6327 Infineon Technologies TSLP 64 射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:40 mW,封装形式:TSLP,包装形式:Reel,最大工作温度:+ 150 C,最...
点击查看BFP 620 E7764参考图片 BFP 620 E7764 Infineon Technologies SOT-343 射频硅锗晶体管 NPN 2.3 V 80 mA
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.2 V,功率耗散:185 mW,安装风格:SMD/SMT,...
BFP 620 H7764 Infineon Technologies 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,包装形式:Reel,系列:BFP620,工厂包装数量:3000,零件号别名:BFP620H77...
BFP 620F E7764 Infineon Technologies TSFP 13380 射频硅锗晶体管 GP BJT NPN 2.3V 0.08A
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.2 V,集电极连续电流:0.08 A,功率耗散:185 m...
BFP 620F H7764 Infineon Technologies 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,包装形式:Reel,系列:BFP620,工厂包装数量:3000,零件号别名:BFP620FH7...
点击查看BFP 640 E6327参考图片 BFP 640 E6327 Infineon Technologies SOT-343 射频硅锗晶体管 GP BJT NPN 4V 0.05A NPN 4V 0.05A
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.2 V,集电极连续电流:50 mA,功率耗散:200 mW...
BFP 640 H6327 Infineon Technologies 2000 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,包装形式:Reel,系列:BFP640,工厂包装数量:3000,零件号别名:BFP640H63...
BFP 640 H6433 Infineon Technologies 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,包装形式:Reel,工厂包装数量:10000,零件号别名:BFP640H6433XT,...
BFP 640ESD E6327 Infineon Technologies 射频硅锗晶体管 Robust Hi Perform Lo Noise Bip RF Trans
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,包装形式:Reel,零件号别名:BFP640ESDE6327XT,...
BFP 640ESD H6327 Infineon Technologies 311 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,包装形式:Reel,系列:BFP640,零件号别名:BFP640ESDH6327XT BFP640ESDH6327XTS...
BFP 640F E6327 Infineon Technologies TSFP 3 射频硅锗晶体管 TRANS GP BJT NPN 4V 0.05A
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.2 V,集电极连续电流:0.05 A,功率耗散:200 m...
BFP 640F H6327 Infineon Technologies 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,包装形式:Reel,系列:BFP640,工厂包装数量:3000,零件号别名:BFP640FH6...
BFP 640FESD E6327 Infineon Technologies 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,包装形式:Reel,零件号别名:BFP640FESDE6327XT,...
BFP 640FESD H6327 Infineon Technologies 射频硅锗晶体管 RF BI
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,包装形式:Reel,系列:BFP640,零件号别名:BFP640FESDH6327XT BFP640FESDH6327X...

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