PTFB192503EL V1 R250

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-33288-6
数量：: 3132
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9

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中文参数如下：

零件号别名：FB192503ELV1R25NT PTFB192503ELV1R250XTMA1 SP000667606
系列：PTFB192503
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.03 Ohms
最小工作温度：- 40 C
封装形式：H-33288-6
最大工作温度：+ 125 C
闸/源击穿电压：10 V
漏极连续电流：1.9 A
汲极/源极击穿电压：65 V
配置：Single
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

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