PTFB192503FL V1 R250

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 H-34288-2
数量:
 3150  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
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PTFB192503FL V1 R250 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:FB192503FLV1R25NT
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.03 Ohms
最小工作温度:- 40 C
包装形式:Reel
封装形式:H-34288-2
最大工作温度:+ 125 C
闸/源击穿电压:10 V
漏极连续电流:1.9 A
汲极/源极击穿电压:65 V
配置:Single
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:Infineon

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