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NE856M03-A CEL 3 针 SuperMiniMold(M03) 射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,最大工作频率:4 GHz,集电极—发射极最大电压 VCEO...
NE856M03-T1 CEL M03 射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
参数:制造商:CEL,RoHS:否,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.1 A,功率耗散:125 mW,封装形式:M03,包装形式:Reel,...
NE856M03-T1-A CEL M03 射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.1 A,功率耗散:125 mW,直流集...
NE856M13 CEL M13 射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
参数:制造商:CEL,RoHS:否,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.1 A,功率耗散:140 mW,封装形式:M13,安装风格:SMD/S...
NE856M13-A CEL M13 射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
参数:制造商:CEL,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.1 A,功率耗散:140 mW,封装形式:M13,包装形式:Bulk,...
NE856M13-T3 CEL M13 射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
参数:制造商:CEL,RoHS:否,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.1 A,功率耗散:140 mW,封装形式:M13,包装形式:Reel,...
NE856M13-T3-A CEL 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,包装形式:Tape,...
NE894M03 NEC/CEL M03 射频双极小信号晶体管 NPN Low Volt Osc
参数:制造商:NEC,RoHS:否,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.035 A,功率耗散:105 mW,封装形式:M03,安装风格:SMD...
NE894M13 NEC/CEL 射频双极小信号晶体管 NPN Low Volt Osc
参数:制造商:NEC,RoHS:否,配置:Single,...
点击查看NE894M13-A参考图片 NE894M13-A CEL M13 757 射频双极小信号晶体管 NPN Low Volt Osc
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:3 V,发射极 - 基极...
点击查看NE894M13-T3-A参考图片 NE894M13-T3-A CEL M13 射频双极小信号晶体管 NPN Low Volt Osc
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.035 A,功率耗散:105 mW,直...
点击查看NE662M04-T2-A参考图片 NE662M04-T2-A CEL SOT-343F 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single Dual Emitter,晶体管极性:NPN,最大工作频率:2 GHz,集电极...
NE662M16 NEC/CEL M16 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:NEC,RoHS:否,配置:Single,晶体管极性:NPN,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流:0.035 A,功率耗散:11...
点击查看NE662M16-A参考图片 NE662M16-A CEL M16 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,最大工作频率:25 GHz,集电极—发射极最大电压 VCE...
NE662M16-T3-A CEL M16 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.035 A,功率耗散:115 mW,封...
NE663M04 NEC/CEL 射频双极小信号晶体管 USE 551-NE663M04-A
参数:制造商:NEC,RoHS:否,配置:Single,...
点击查看NE663M04-A参考图片 NE663M04-A CEL SOT-343F 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.1 A,功率耗散:190 mW,封装形...
NE663M04-T2-A CEL SOT-343 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.1 A,功率耗散:190 mW,封装形...
NE664M04 NEC/CEL 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:NEC,RoHS:否,配置:Single,...
点击查看NE664M04-A参考图片 NE664M04-A CEL SOT-343F 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5 V,发射极 - 基极...

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