PTFB183404F V1 R250

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 H-37275-6/2
数量:
 3078  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 340W 1805-1880 MHz
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PTFB183404F V1 R250 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:FB183404FV1R25NT
安装风格:SMD/SMT
包装形式:Reel
封装形式:H-37275-6/2
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:10 V
漏极连续电流:2.6 A
汲极/源极击穿电压:65 V
输出功率:125 W
增益:17 dB
频率:1.8 GHz to 1.88 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Dual
RoHS:否
制造商:Infineon

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