首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 射频半导体 > 晶体管射频 > 射频MOSFET电源晶体管 > PTFB183404F V2

PTFB183404F V2

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 H-37275-6
数量：
 3087  
说明：
 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
PTFB183404F V2-H-37275-6图片

PTFB183404F V2 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：FB183404FV2NP PTFB183404FV2XWSA1 SP000861274
系列：PTFB183404
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.05 Ohms
最小工作温度：- 40 C
封装形式：H-37275-6
最大工作温度：+ 125 C
闸/源击穿电压：10 V
漏极连续电流：2.6 A
汲极/源极击穿电压：65 V
配置：Single
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

以上是PTFB183404F V2的详细信息，包括PTFB183404F V2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管射频产品：

射频硅锗晶体管   射频双极小信号晶体管   射频JFET晶体管   射频双极电源晶体管   射频MOSFET小信号晶体管  

最新产品：

  • 2-1423161-1
  • G3NE-220TL-2-US DC12
  • DD171N18KHPSA1
  • 5962-9225702MXA
  • AMJDEDJ-A11T3
  • ML610Q772-BA5TCZ07GL
  • IPLK60R360PFD7ATMA1
  • S29GL064S90FHA040
  • 72V251L15PFI8
  • BZT52B9V1BS-TP

    • 相近型号推荐

    • PTFB193404F V1图片

      PTFB193404F V1

      射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 340W 30V 1930-1990 MHz

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC