PTFB183404E V1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-36275-8
数量：: 3051
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 340W 1805-1880 MHz

一、本商品被浏览0次.

PTFB183404E V1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：FB183404EV1NP PTFB183404EV1XWSA1 SP000884170
系列：PTFB183404
安装风格：SMD/SMT
封装形式：H-36275-8
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：10 V
漏极连续电流：2.6 A
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：125 W
增益：17 dB
频率：1.8 GHz to 1.88 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Dual
制造商：Infineon

以上是PTFB183404E V1的详细信息，包括PTFB183404E V1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管射频产品：

射频硅锗晶体管射频双极小信号晶体管射频JFET晶体管射频双极电源晶体管射频MOSFET小信号晶体管