PTFB182503FL V2

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 H-34288-2
数量:
 3033  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
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PTFB182503FL V2 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:FB182503FLV2NP PTFB182503FLV2XWSA1 SP000861270
系列:PTFB182503
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.03 Ohms
最小工作温度:- 40 C
封装形式:H-34288-2
最大工作温度:+ 125 C
闸/源击穿电压:10 V
漏极连续电流:1.85 A
汲极/源极击穿电压:65 V
配置:Single
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:Infineon

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