PTFA190451E V4

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 H-36265-2
数量:
 5769  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
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PTFA190451E V4 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:FA190451EV4XP PTFA190451EV4XWSA1 SP000465598
工厂包装数量:50
系列:PTFA190451
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.91 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散:211 W
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 40 C
包装形式:Tray
封装形式:H-36265-2
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:12 V
漏极连续电流:450 mA
汲极/源极击穿电压:65 V
输出功率:45 W
增益:17.5 dB
频率:1.93 GHz to 1.99 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:Infineon

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