PTFA192001E V4

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-36248-2
数量：: 5841
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

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PTFA192001E V4 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FA192001EV4XP PTFA192001EV4XWSA1 SP000376070
工厂包装数量：35
系列：PTFA192001
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.05 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散：417 W
安装风格：SMD/SMT
包装形式：Tray
封装形式：H-36248-2
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：12 V
漏极连续电流：900 mA
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：100 W
增益：17 dB
频率：1.93 GHz to 1.99 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

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