PTFA192001E V4 R250

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 H-36248-2
数量:
 5850  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 1930-1990 MHz
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中文参数如下:

零件号别名:FA192001EV4R25XT PTFA192001EV4R250XTMA1 SP000393367
工厂包装数量:250
系列:PTFA192001
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.05 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散:417 W
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 40 C
包装形式:Reel
封装形式:H-36248-2
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:12 V
漏极连续电流:900 mA
汲极/源极击穿电压:65 V
输出功率:100 W
增益:17 dB
频率:1.93 GHz to 1.99 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:Infineon

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