PTFA191001EV4XWSA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 H-36248-2
数量:
 3969  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
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PTFA191001EV4XWSA1 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:H-36248-2
封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线
安装类型:表面贴装型
电压 - 额定:65 V
功率 - 输出:44dBm
电流 - 测试:900 mA
噪声系数:-
额定电流(安培):10μA
电压 - 测试:30 V
增益:17dB
频率:1.96GHz
配置:-
技术:LDMOS
产品状态:停产
包装:-
系列:托盘
品牌:Infineon Technologies

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