PTFA191001F V4 R250

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-37248-2
数量：: 5832
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 100 W 1930-1990 MHz

一、本商品被浏览0次.

PTFA191001F V4 R250 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装：H-37248-2
封装/外壳：2-扁平封装，叶片引线，带法兰
安装类型：表面贴装型
电压 - 额定：65 V
功率 - 输出：44dBm
电流 - 测试：900 mA
噪声系数：-
额定电流（安培）：10μA
电压 - 测试：30 V
增益：17dB
频率：1.96GHz
配置：-
技术：LDMOS
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是PTFA191001F V4 R250的详细信息，包括PTFA191001F V4 R250厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：