PTFA191001E V4

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-36248-2
数量：: 5805
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

一、本商品被浏览0次.

PTFA191001E V4 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：FA191001EV4XP
工厂包装数量：50
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.08 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散：417 W
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 40 C
包装形式：Tray
封装形式：H-36248-2
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：12 V
漏极连续电流：900 mA
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：100 W
增益：17 dB
频率：1.93 GHz to 1.99 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

以上是PTFA191001E V4的详细信息，包括PTFA191001E V4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管射频产品：

射频硅锗晶体管射频双极小信号晶体管射频JFET晶体管射频双极电源晶体管射频MOSFET小信号晶体管