PTFA190451E V1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-36265-2
数量：: 2862
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 45 W

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PTFA190451E V1 PDF参数资料

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中文参数如下：

电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.91 Ohms
功率耗散：211 W
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 40 C
包装形式：Tray
封装形式：H-36265-2
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：12 V
漏极连续电流：450 mA
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：45 W
增益：17.5 dB
频率：1.93 GHz to 1.99 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

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