IPB180N03S4L-H0

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263-7
数量：: 7200
说明：: MOSFET N-Channel 30V MOSFET

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中文参数如下：

零件号别名：IPB180N03S4LH0ATMA1 IPB180N03S4LH0XT SP000555050
典型关闭延迟时间：38 ns
上升时间：24 ns
功率耗散：188 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：135 nC
下降时间：41 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263-7
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.3 mOhms
漏极连续电流：180 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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