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IPB200N15N3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263
数量：: 2052
说明：: MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 150V 50A

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IPB200N15N3 G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPB200N15N3GATMA1 IPB200N15N3GXT SP000414740
典型关闭延迟时间：23 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：11 ns
功率耗散：150 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：31 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：57 S, 29 S
下降时间：6 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：20 mOhms
漏极连续电流：50 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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