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IPB200N25N3 G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-263-3
数量：
 3248  
说明：
 MOSFET N-channel POWER MOS
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IPB200N25N3 G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GXT SP000677896
典型关闭延迟时间：45 ns
上升时间：20 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：64 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：122 S, 61 S
下降时间：12 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：20 mOhms
漏极连续电流：64 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：250 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB200N25N3 G的详细信息，包括IPB200N25N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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