IPB200N25N3 G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-263-3
数量:
 3248  
说明:
 MOSFET N-channel POWER MOS
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

IPB200N25N3 G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GXT SP000677896
典型关闭延迟时间:45 ns
上升时间:20 ns
功率耗散:300 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:64 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :122 S, 61 S
下降时间:12 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):20 mOhms
漏极连续电流:64 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:250 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPB200N25N3 G的详细信息,包括IPB200N25N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC