IPB22N03S4L15

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-263
数量:
 5202  
说明:
 MOSFET
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IPB22N03S4L15-TO-263图片

IPB22N03S4L15 PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:12 ns
工厂包装数量:1000
上升时间:2 ns
功率耗散:31 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:2 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):14.6 m Ohms
漏极连续电流:22 A
闸/源击穿电压:+/- 16 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
制造商:Infineon

以上是IPB22N03S4L15的详细信息,包括IPB22N03S4L15厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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