IPB180N04S302

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263
数量：: 5112
说明：: MOSFET

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IPB180N04S302 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：57 ns
上升时间：19 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：18 ns
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single Quint Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.6 m Ohms
漏极连续电流：180 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：Infineon

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