IPB180N06S4-H1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO263-7-3
数量:
 4693  
说明:
 MOSFET N-Channel 60V MOSFET
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IPB180N06S4-H1 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:IPB180N06S4H1ATMA1 IPB180N06S4H1ATMA2 SP000415562
功率耗散:250 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:PG-TO263-7-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.7 mOhms
漏极连续电流:180 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPB180N06S4-H1的详细信息,包括IPB180N06S4-H1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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