IPB180N04S4-H0

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-263-7
数量:
 7227  
说明:
 MOSFET N-Channel 40V MOSFET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IPB180N04S4-H0-TO-263-7图片

IPB180N04S4-H0 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0XT SP000711248
典型关闭延迟时间:50 ns
上升时间:24 ns
功率耗散:250 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:173 nC
下降时间:49 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263-7
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.1 mOhms
漏极连续电流:180 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPB180N04S4-H0的详细信息,包括IPB180N04S4-H0厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC