Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4500BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 7/4.5A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI4500BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 9.1/5.3A 2.5W 20/60mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI4500DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7/4.5A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：7... | ||||||
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SI4500DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7/4.5A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI4500DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7/4.5A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI4500DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7/4.5A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI4501ADY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30/8V 8.8/5.7A 1.3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V, 8 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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SI4501ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30/8V 8.8/5.7A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V, 8 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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SI4501ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30/8.0V 8.8/5.7A 18/42mohm @ 10/4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V, 8 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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Si4501BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 165 | MOSFET 30 Volts 12 Amps 4.5 Watts | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V, - 8 V，闸/源击穿电... | ||||||
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SI4501DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30/8V 9/6.2A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V, 8 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V, +/... | ||||||
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SI4501DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30/8V 9/6.2A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V, 8 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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SI4501DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30/8 9/6.2A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V, 8 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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SI4501DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | 159 | MOSFET 30/8 9/6.2A | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V, 8 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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SI4505DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30/8V 7.8/5.0A 1.2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V, 8 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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SI4505DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30/8.0V 7.8/5.0A 18/42mohm @ 10/4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V, 8 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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SI4511DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET +20/-20V +9.6/-6.2A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+ /- ... | ||||||
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SI4511DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 9.6/6.2A 2.0W 14.5/33mohm@10/4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+ /- ... | ||||||
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SI4532ADY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：4... | ||||||
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SI4532ADY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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