Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPB16CNE8N G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 53A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB17N25S3-100 | Infineon Technologies | MOSFET Infineon MOSFETs | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPB17N25S3100ATMA1 IPB17N25S3100XT SP0008765... | ||||||
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IPB180N03S4L-01 | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：16 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲... | ||||||
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IPB180N03S4L-H0 | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲... | ||||||
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IPB180N04S302 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPB180N04S3-02 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-CH 40V 180 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB180N04S4-00 | Infineon Technologies | TO-263-7 | 414 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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IPB180N04S4-01 | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲... | ||||||
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IPB180N04S4-H0 | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲... | ||||||
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IPB180N06S4-H1 | Infineon Technologies | PG-TO263-7-3 | 2650 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：180 A... | ||||||
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IPB180P04P4-03 | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET P-Channel MOSFET 40V 180A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：- 180 A... | ||||||
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IPB180P04P4L-02 | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -180A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，漏极连续电流：- 180 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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IPB200N15N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 150V 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPB200N25N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 1187 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：64 A，电阻汲... | ||||||
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IPB22N03S4L15 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极连续电流：22 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPB22N03S4L-15 | Infineon Technologies | TO-263 | 909 | MOSFET OPTIMOS-T2 PWR-TRANS 30V 22A 14.6mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPB230N06L3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 859 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB25N06S3-25 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 25A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB25N06S3L-22 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 25A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPB260N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 900 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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