ZXMD65P03N8TA

厂家:
  Diodes Inc.
封装:
 8-SO
数量:
 1746  
说明:
 MOSFET Dl 30V P-Chnl HDMOS
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ZXMD65P03N8TA PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:49.5 ns
上升时间:6.4 ns
功率耗散:2 W
下降时间:26.2 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.055 Ohms
漏极连续电流:4.8 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:- 30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:否
制造商:Diodes Inc.

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