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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:4.9 ns, 13 ns
工厂包装数量:1000
上升时间:1.4 ns, 2.3 ns
功率耗散:1.7 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:3.2 nC, 5.1 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :2.3 S, 1.8 S
下降时间:2 ns, 5.8 ns
包装形式:Reel
封装形式:SM-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Quad
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.3 Ohms at 1.8 A, 0.425 Ohms at - 1.5 A
漏极连续电流:1.8 A, - 1.5 A
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
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