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ZXMHN6A07T8TA

厂家：
  Diodes Inc.
封装：
 SM8
数量：
 1962  
说明：
 MOSFET 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge
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ZXMHN6A07T8TA PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：4.9 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：1.4 ns
功率耗散：1600 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：1.4 ns
包装形式：Reel
封装形式：SM-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Quad Dual Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：300 mOhms
漏极连续电流：1.6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXMHN6A07T8TA的详细信息，包括ZXMHN6A07T8TA厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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