ZXMHC3A01N8TC

厂家：: Diodes Inc. / Zetex
封装：: 8-SO
数量：: 28324
说明：: MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A

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中文参数如下：

上升时间：2.3 ns
功率耗散：10.9 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：2.9 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：H-Bridge
电阻汲极/源极 RDS（导通）：125 mOhm to 330 mOhm
漏极连续电流：- 2.06 A, 2.72 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V, 30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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